900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFPF50 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 19A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRFPF50 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 900V breakdown voltage.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Helps reduce switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.