900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFPF30 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFPF30  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 25nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 450pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 45ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Description:**  
The IRFPF30 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and other high-voltage applications.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (900V)**  
- **Low Gate Charge (25nC typical)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance (3.0Ω max)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-247AC Package for High Power Dissipation**  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRFPF30 MOSFET.