800V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFPE50 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key IR specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.0Ω (at V_GS = 10V, I_D = 3A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  

### **Description:**  
The IRFPE50 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- High voltage capability (500V)  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Avalanche energy rated  
- Improved dv/dt capability  
- TO-247 package  

This information is based on the manufacturer's datasheet.