100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP4110PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 180A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 720A  
- **Power Dissipation (P_D):** 580W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 210nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFP4110PBF is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-power applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and switching regulators.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **High Current Handling Capability** (180A continuous)  
- **Fast Switching Speed** for improved performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

The device is packaged in a TO-247AC through-hole package for easy mounting.  

(Note: All specifications are based on the manufacturer's datasheet.)