500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The **IRFP32N50K** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 32A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 128A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.23Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-power switching applications** such as motor drives, power supplies, and inverters.  
- **Low gate charge** for improved switching efficiency.  
- **Fast switching speed** with optimized gate drive characteristics.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability in harsh conditions.  
- **Low thermal resistance** due to the TO-247 package, allowing better heat dissipation.  
- **Pb-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

This information is based on the manufacturer’s datasheet and technical documentation.