75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP2907 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 209A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 840A  
- **Power Dissipation (P_D):** 520W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 330nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 8400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 500pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
- The IRFP2907 is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 209A continuous current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **TO-247AC Package:** Offers high power dissipation capability.  

These details are based on the manufacturer's datasheet for the IRFP2907.