250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP264N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 38A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 150A  
- **Power Dissipation (P_D):** 280W (at 25°C case temperature)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 19A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFP264N is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, high current capability, and ruggedness for demanding power electronic circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for efficient power handling  
- **Low Gate Charge** for fast switching performance  
- **Avalanche Energy Rated** for improved reliability  
- **Low Thermal Resistance** for better heat dissipation  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  

### **Package:**  
TO-247AC (3-pin through-hole package)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.