200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP260N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 170nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFP260N is an N-channel power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current-handling capability, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for efficient power handling  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive loads  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters** for reliable performance  
- **TO-247AC Package** for enhanced thermal dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.