N-Channel Power MOSFET 200V, 30A, 0.075-Ohm The IRFP250N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 110A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max) @ V_GS = 10V, I_D = 30A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 62ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFP250N is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Low Gate Charge** for fast switching performance.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters** for optimized performance in switching circuits.  
- **Low Thermal Resistance** for improved power dissipation.  

The device is packaged in a TO-247AC (3-pin) through-hole package.  

(Source: International Rectifier (IR) IRFP250N Datasheet)