600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP22N60K is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 22A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 88A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage MOSFET:** Designed for high-voltage switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements and switching losses.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor drives, inverters, and industrial systems.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.