500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP17N50L is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFP17N50L  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
- The IRFP17N50L is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- Suitable for use in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 500V drain-source voltage.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Ensures reliable operation in demanding environments.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP17N50L is a power MOSFET manufactured by Harris (now part of Littelfuse). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 280W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- **Package:** TO-247AC (3-pin)  
- **Technology:** N-Channel HEXFET® Power MOSFET  
- **Application:** Designed for high-power switching applications, including power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced reliability under inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and does not include any additional recommendations.

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP17N50L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 250W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFP17N50L is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power supplies, motor control, and other industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.