60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIZ48V is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files regarding its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.018Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFIZ48V is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion in various circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Robust and reliable performance in power applications  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.