60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIZ24G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Descriptions:**  
- The IRFIZ24G is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- The device is housed in a TO-220 package for efficient thermal dissipation.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high load currents.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Ensures reliable performance in high-speed switching.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.