500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220FullPak package The IRFIB8N50K is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 28nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- TO-220AB (Through-Hole)  

### **Description:**  
The IRFIB8N50K is a N-channel power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low Gate Charge for Fast Switching**  
- **Low On-Resistance for Efficient Power Handling**  
- **Avalanche Energy Specified for Reliability**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is sourced from the official Infineon/IR datasheet for the IRFIB8N50K.