500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIB7N50A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IRFIB7N50A is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- The device is suitable for use in power supplies, motor control, and other high-voltage applications.  

### **Features:**
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed operation.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Drain-Source Diode:** Includes an intrinsic body diode for reverse current protection.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.