600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIB6N60A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 6A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.2Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (Min), 5V (Max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFIB6N60A is a N-channel MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.