500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIB5N50L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 500V  
- **Current Rating (I_D):** 4.3A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  

### **Description:**  
- The IRFIB5N50L is a **N-channel** power MOSFET designed for high-voltage switching applications.  
- It is optimized for **fast switching** and **low gate charge**, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (500V)**  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness  
- **Pb-free and RoHS compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.