-60V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI9Z34G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFI9Z34G  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 76A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 29nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRFI9Z34G is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It utilizes International Rectifier's HEXFET® technology, providing low on-resistance and high switching speed.  
- Suitable for applications such as DC-DC converters, motor control, and power management.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.