-250V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI9634G is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -21A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Drain-Source On-Resistance):**  
  - 3.0Ω (max) at V_GS = -10V  
  - 4.0Ω (max) at V_GS = -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 520pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFI9634G is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for low on-resistance and high efficiency.  
- **Fast Switching Speed** for reduced switching losses.  
- **Low Gate Charge** for improved drive efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure reliability in high-frequency circuits.  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.