400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI740G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFI740G  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  

### **Electrical Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  

### **Switching Characteristics:**
- **Input Capacitance (C_iss):** 580pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  

### **Package & Thermal Data:**
- **Package Type:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Junction-to-Ambient Thermal Resistance (R_θJA):** 62°C/W  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 400V rating for robust power handling.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in switching circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in high-energy environments.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

### **Applications:**
- Switch-mode power supplies (SMPS)  
- Motor control circuits  
- DC-DC converters  
- Inverters and UPS systems  

This information is sourced from the manufacturer’s datasheet and technical documentation.