Power MOSFET(Vdss=400V/ Rds(on)=0.55ohm/ Id=5.4A) The IRFI740 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFI740  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
### **Electrical Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 40A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.55Ω (max at VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
### **Switching Characteristics:**
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 60pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typ)  
### **Package & Thermal Data:**
- **Package Type:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Mounting Style:** Through-Hole  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Junction-to-Case Thermal Resistance (RθJC):** 0.83°C/W  
### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 400V VDSS  
- **Low On-Resistance:** Optimized for reduced conduction losses  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching  
- **HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and reliability  
### **Applications:**
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Inverters  
- Industrial and automotive systems  
This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet from Infineon Technologies (formerly IR).