250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI644G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRFI644G  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D @ 25°C):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D @ 25°C):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on) @ V_GS = 10V):** 0.35Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) – 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
The IRFI644G is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to false triggering.  
- **TO-220 Package:** Facilitates easy mounting and heat dissipation.  

For detailed application notes and additional specifications, refer to the official International Rectifier datasheet.