200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI640G is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 72nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- **Switching Power Supplies**  
- **Motor Control**  
- **DC-DC Converters**  
- **High-Frequency Inverters**  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRFI640G.