100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI540G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer Specifications:**
1. **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
2. **Continuous Drain Current (I_D):** 28A (at 25°C)  
3. **Pulsed Drain Current (I_DM):** 110A  
4. **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
5. **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
6. **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.077Ω (max) at V_GS = 10V  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
8. **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
9. **Output Capacitance (C_oss):** 400pF  
10. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
11. **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
12. **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
13. **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
- The IRFI540G is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- The device is housed in a TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low conduction and switching losses.  
- **Dynamic dv/dt Rating:** High resistance to voltage transients.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness under inductive loads.  
- **Fully Characterized for Switching Performance:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from the official International Rectifier datasheet for the IRFI540G.