100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI530N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **IRFI530N Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
- The IRFI530N is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances reliability in high-speed switching.  
- **TO-220 Package:** Ensures efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.