100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI530G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRFI530G is an N-channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power conversion circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.16Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 850pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 220pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Features:**  
- **HEXFET® Technology:** Provides low on-resistance and high switching speed.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness under inductive load conditions.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements and improves efficiency.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Ensures reliable operation in switching circuits.  
- **TO-220AB Package:** Industry-standard package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.