100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI520N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 39A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole)  

### **Description:**  
- The IRFI520N is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling capability.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for efficient power handling.  
- **Low Gate Charge** for fast switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive loads.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure reliability in high-frequency applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.