200V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) package. The IRFI4020H-117P is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.023Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2900pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRFI4020H-117P is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high-speed switching.  
- The device is housed in a TO-220AB package, providing efficient thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 75A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching applications.