55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI1010N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the manufacturer's specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 81A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.012Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 40A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- The IRFI1010N is an N-channel HEXFET power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low conduction losses and fast switching performance.  
- The device is housed in a TO-220AB package, providing good thermal performance.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Suitable for demanding power applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances reliability in high-speed switching.  

This information is sourced from International Rectifier's official datasheets.