30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package The IRFH8311TR2PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IRF). Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IRF)  

### **Part Number:**  
IRFH8311TR2PBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Package:**  
PQFN (5x6mm)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 104A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  

### **Features:**  
- Optimized for high-efficiency synchronous buck converters  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- PQFN package for improved thermal performance  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Voltage regulator modules (VRMs)  
- Motor control  
- Power management in servers, telecom, and industrial systems  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to Infineon's official resources.