30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5x6mm package The IRFH5302TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-to-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **R_DS(on) (Max):** 2.2mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-to-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN (5x6mm)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power conversion applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous buck converters and motor control.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Improves performance in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness under transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Optimized Gate Charge:** Reduces switching losses.  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor drives, and power management systems.