30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET with an integrated Schottky Diode in a 5mm X 6mm PQFN package The IRFH5302DTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 70A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 280A  
- **RDS(ON) (Max):** 1.8mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 79W (at 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN (5x6mm)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for improved reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with low-voltage control circuits.  
- **Applications:** DC-DC converters, motor control, power management, and synchronous rectification.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.