30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package The IRFH5300TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.8mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 50A)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 100A continuous current.  
- **Fast Switching:** Designed for high-frequency switching applications.  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and synchronous rectification applications.  

(Note: All data is based on the manufacturer's datasheet.)