150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package The IRFH5015TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Descriptions:**  
The IRFH5015TRPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance (R_DS(on)) and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability (100A continuous)  
- Optimized for high-frequency switching  
- Low gate charge for fast switching performance  
- Lead-free and RoHS compliant  
- PQFN package for improved thermal performance  

This information is sourced from Infineon’s official datasheet for the IRFH5015TRPBF.