100V Dual 2N- and 2P- Channel MOSFET in a MO-036AB package The IRFG6110 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRFG6110  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  

### **Description:**  
The IRFG6110 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for efficient high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Rated** for improved ruggedness.  
- **Low Gate Charge** for reduced drive requirements.  
- **TO-220 Package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.