100V Quad N-Channel MOSFET in a MO-036AB package The IRFG110 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRFG110 is a high-speed switching MOSFET designed for power applications.  
- It is suitable for switching power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- The device is housed in a TO-220AB package for efficient heat dissipation.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive** capability for compatibility with lower voltage control circuits.  

These details are based on the manufacturer's datasheet for the IRFG110 MOSFET.