600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFDC20 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IOR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IOR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFDC20 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current-handling capability, making it suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **High current capability** for robust performance  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness  
- **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official documentation.