1000V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBG30 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**
The IRFBG30 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power conversion circuits, motor control, and other high-voltage applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 400V drain-source voltage rating  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.