900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRFBF20L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 200V  
- **Current Rating (I_D):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-to-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 40ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  

### **Description:**  
The IRFBF20L is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and high efficiency in power conversion circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious turn-on risks  
- **TO-220AB Package:** Industry-standard through-hole mounting  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.