600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBC40LC is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFBC40LC is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features fast switching speeds and low gate charge, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation  
- **Avalanche Energy Rated:** Improved ruggedness  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole mounting  

This information is sourced from the manufacturer's official datasheet.