600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBC40A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRFBC40A is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and other switching circuits requiring efficient performance.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 600V drain-source voltage rating.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

The IRFBC40A is a robust and reliable MOSFET suitable for demanding power electronics applications.