600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRFBC30L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 9.0nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 90pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5.0pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFBC30L is a high-voltage, N-channel MOSFET designed for fast switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **High Voltage Rating:** Suitable for 600V applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.