600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRFBC30AL is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRFBC30AL  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12.8A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V V_DSS  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching  
- **Low On-Resistance:** Improves power efficiency  
- **Planar Technology:** Provides high reliability and performance  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.