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IRFBC30A from FAIRCHILD,Fairchild Semiconductor

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IRFBC30A

Manufacturer: FAIRCHILD

600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFBC30A FAIRCHILD 50 In Stock

Description and Introduction

600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBC30A is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 3.1A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 12A  
- **Power Dissipation (PD):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.0Ω (max) at VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 40ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 25ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFBC30A is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, fast-switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V rating for robust performance in high-voltage applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching with low gate charge.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability under inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFBC30A IR 68 In Stock

Description and Introduction

600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBC30A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRFBC30A is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power conversion circuits.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (VDSS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 3.3A (continuous at 25°C)  
- **RDS(on) (Drain-Source On-Resistance):** 2.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications  
- **Low Gate Charge (Qg):** Enhances switching efficiency  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching  
- **TO-220AB Package:** Industry-standard through-hole mounting  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Inverters  

This information is sourced from the official IR datasheet for the IRFBC30A.

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