650V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB9N65A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.95Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (min)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFB9N65A is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of IR's HEXFET® family, which offers low on-state resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 650V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances reliability in switching circuits.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole mounting for easy integration.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental regulations.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor drives, inverters, and other high-voltage switching applications.