600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB9N60A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.8Ω @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFB9N60A is a N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and other switching circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load applications  
- **Low On-Resistance:** Improves conduction efficiency  
- **TO-220 Package:** Provides mechanical durability and heat dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.