40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package The IRFB7446 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRFB7446  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 81A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**
- **High Efficiency:** Low on-resistance (R_DS(on)) reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Robust Design:** Avalanche energy rated for improved reliability.  
- **Low Gate Charge:** Enables efficient high-frequency operation.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor drives, DC-DC converters, and other high-current switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes or testing conditions, refer to Infineon's official documentation.