150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB61N15DPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 61A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 240A  
- **Power Dissipation (PD):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **RDS(ON) (Max) at VGS = 10V:** 0.022Ω  
- **RDS(ON) (Max) at VGS = 4.5V:** 0.028Ω  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 4200pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 120pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 65ns  
- **Rise Time (tr):** 45ns  
- **Fall Time (tf):** 30ns  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFB61N15DPBF is a N-channel MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-state resistance (RDS(ON)) and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- High current capability  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.