**Part Number:** IRFB61N15D  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 61A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFB61N15D is a high-performance N-Channel MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance, high current handling capability, and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable TO-220 package  
- Avalanche energy rated  
- Optimized for high-efficiency power conversion  

This information is based on the manufacturer's datasheet.