100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB59N10DPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 59A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 236A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 19mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Application:** Designed for high-efficiency power switching applications  
- **Low On-Resistance:** Enhances power efficiency  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in harsh conditions  
- **Fully Characterized:** Guaranteed performance across temperature ranges  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed specifications, refer to the official Infineon documentation.